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集成電路工藝培訓(xùn)班

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一、集成電路制造的前工藝集成技術(shù)

二、集成電路制造的后道工藝集成技術(shù)

三、PVD工藝技術(shù)

四、CVD工藝技術(shù)

五、litho工藝技術(shù)

六、刻蝕的基本原理

七、IBE刻蝕原理及設(shè)備

八、RIE刻蝕原理及設(shè)備

九、ICP刻蝕原理及設(shè)備

十、工藝過程、檢測(cè)及儀器

十一、氧化

　　 1.　二氧化硅（SiO2）的性質(zhì)及作用

　　 2.　熱氧化生長SiO2

十二、　光刻與刻蝕

　　 1.　光刻工藝流程
　　 2.　光刻膠的基本屬性

十三、　摻雜

　　 1.　擴(kuò)散　
　　 2.　離子注入

十四、　淀積

　　 1.　物理氣相淀積

　　 2.　化學(xué)氣相淀積

十五、　接觸與互連

十六、　CMOS工藝主要流程

十七、前端閘極設(shè)計(jì)、

十八、 信道結(jié)構(gòu)、 源汲極淺結(jié)構(gòu)，以及

十九、 后端銅導(dǎo)線工藝整合

二十、總結(jié)與強(qiáng)化講解

★ 外延生長
★ 掩膜制版工藝
★ 光刻
★ 熱氧化
★ 摻雜工藝（熱擴(kuò)散、離子注入）
★ 刻蝕
★ 化學(xué)氣相淀積
★ 鍍膜
★ 集成電路工藝集成技術(shù)(MOS工藝、雙極型工藝)

一、集成電路各類產(chǎn)品與應(yīng)用

二、常用材料使用簡介

三、集成電路英文應(yīng)用

四、集成電路廠務(wù)與環(huán)境

五、封裝基礎(chǔ)知識(shí)

六、集成SOP學(xué)習(xí)

七、集成電路設(shè)備

九、應(yīng)急處理

十、質(zhì)量環(huán)境及工作安全教育

十一、集成電路封裝
1，封裝概念
2、封裝的目的和要求
3、封裝的技術(shù)層次
4、封裝技術(shù)的歷史和發(fā)展
5、封裝的分類
6、封裝業(yè)的發(fā)展

十二、封裝制造最先進(jìn)的封裝和集成技術(shù)解決方案，包括FOWLP、PoP、FCCSP、ETS、EPS、EDS、FC-QFN、InFO、Coreless、Silicon Interposer、TSV、SiP、IPD、RDL、Fine pitch Copper Pillar等；

十三、長期困擾大多數(shù)同行的常見技術(shù)難題及其對(duì)應(yīng)的策略與建議：包括如何進(jìn)行封裝選型、如何進(jìn)行封裝的Cost Down、如何設(shè)計(jì)低成本高速、高性能的封裝、如何有效地進(jìn)行封裝設(shè)計(jì)的電性能SI/PI評(píng)估與仿真分析、如何進(jìn)行封裝系統(tǒng)的熱分析與熱管理、量產(chǎn)封裝的可靠性設(shè)計(jì)與實(shí)效分析、芯片-封裝-系統(tǒng)的協(xié)同設(shè)計(jì)等。

十四、集成電路多芯片組件（MCM）封裝技術(shù)

十五、集成電路測(cè)試信號(hào)鏈接方法

十六、集成電路測(cè)試方法

十七、集成電路測(cè)試與封裝技巧